工艺流片
SOI是硅基光电子常用的材料平台，可用于制备各类无源及有源硅光器件。
▍我们的工艺
CUMEC公司具备完善的光电融合高端特色工艺平台，一期打造的8英寸工艺线包括硅光前道区域、后道铜布线区域及3D集成区域，具备光刻、刻蚀、注入、扩散、薄膜、化学机械抛光（CMP）、外延等完整集成电路工艺制作能力和成套芯片测试分析能力，形成CUMEC具备自主知识产权的，面向后摩尔时代的高端特色工艺解决方案。
CUMEC氮化硅工艺基于200mm CMOS工艺，采用180nm工艺节点，在硅晶圆上制备300nm厚度的 Si3N4 无源器件。
CUMEC三维集成工艺平台基于8英寸(200mm) 异质异构集成工艺，本次发布的10×100μm TSV工艺，2μm/2μm大马士革...
