工艺流片

  • CSiP180Al

    SOI是硅基光电子常用的材料平台,可用于制备各类无源及有源硅光器件。

    CSiP130Cu
  • CUMEC氮化硅工艺基于200mm CMOS工艺,采用180nm工艺节点,在硅晶圆上制备300nm厚度的 Si3N无源器件。

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我们的工艺

CUMEC公司具备完善的光电融合高端特色工艺平台,一期打造的8英寸工艺线包括硅光前道区域、后道铜布线区域3D集成区域光刻、刻蚀、注入、扩散、薄膜、化学机械抛光(CMP)、外延等完整集成电路工艺制作能力和成套芯片测试分析能力,形成CUMEC具备自主知识产权的,面向后摩尔时代的高端特色工艺解决方案。