三维集成工艺
(C3DS10)
CUMEC三维集成工艺平台基于8英寸(200mm) 异质异构集成工艺,本次发布的10×100μm TSV工艺,2μm/2μm大马士革Cu布线工艺、2层Cu RDL工艺、50~200μm整晶圆减薄、键合强度≥1.5J/m2的Fusion键合、临时键合和解键合工艺,为3D SiP、光电混合集成、微系统等应用提供了灵活的解决方案。
联系我们
- 2022-01-27
- 2020-09-14
- 2020-06-03
三维集成工艺
(C3DS10)
CUMEC三维集成工艺平台基于8英寸(200mm) 异质异构集成工艺,本次发布的10×100μm TSV工艺,2μm/2μm大马士革Cu布线工艺、2层Cu RDL工艺、50~200μm整晶圆减薄、键合强度≥1.5J/m2的Fusion键合、临时键合和解键合工艺,为3D SiP、光电混合集成、微系统等应用提供了灵活的解决方案。
联系我们