300nm氮化硅光电子工艺    

        （CSiN300）

CUMEC 可提供 Si3N4 工艺流片服务，涵盖器件与版图设计、流片、测试及封装等，用户可根据需求选择相应的服务。

 

CUMEC氮化硅工艺基于200mm CMOS工艺，采用180nm工艺节点，在硅晶圆上制备300nm厚度的 Si3N4 无源器件，包括：

  - 光波导

  - 耦合光栅

  - 端面耦合器

  - MMI/AWG/Ring…

  - 热光移相器

  - …

 

 

目前可选择的流片工艺：

 

  - SiN刻蚀，NFE：300nm Si3N4刻蚀，可用于波导器件；

  - 端面刻蚀：硅槽刻蚀深度120um，可用于端面耦合器等器件；

  - 金属电极：M1 heater

 

 

PDK获取

1. 请下载 CUMEC NDA 文件，并完成信息填写和签署。

2. 请将扫描件发送至service@cumec.cn

工作人员将在3个工作日内完成NDA文件的审核和反馈，并发送PDK到注册邮箱。