高速相移器
我们的器件
条形波导
传输损耗 < 1.5 dB/cm
脊形波导
传输损耗 < 1.0 dB/cm
耦合光栅
耦合损耗 < 4.5 dB/facet
MMI
额外损耗 < 0.3 dB
Transition
插入损耗 < 0.2 dB
Polarization beam splitter
PER > 30 dB
Metal heater
Pπ < 20 mW
PIN phase shifter
低功耗相移
Modulator
Bandwidth > 20 GHz
Ge PD
Bandwidth > 20 GHz
PN phase shifter
CUMEC 可提供基于SOI的全套硅光流片服务,涵盖器件与版图设计、流片、测试及封装等,用户可根据需求选择相应的服务。
CUMEC硅光工艺基于200mm CMOS工艺,采用180nm工艺节点,使用220nm SOI衬底制备全套硅光器件,包括:
- 光波导
- 耦合光栅
- MMI/AWG/Ring…
- 热光移相器
- 调制器
- Ge PD
- …
PDK获取
1. 请下载CUMEC CSiP180Al NDA文件,并完成信息填写和签署。
2. 请将扫描件发送至service@cumec.cn
工作人员将在3个工作日内完成NDA文件的审核和反馈,并发送PDK到注册邮箱。
CSiP180A
- 180nm硅光成套工艺
联系我们
- 2022-01-27
- 2020-09-14
- 2020-06-03