高速相移器

我们的器件

条形波导

传输损耗 < 1.5 dB/cm

脊形波导

传输损耗 < 1.0 dB/cm

耦合光栅

耦合损耗 < 4.5 dB/facet

MMI

额外损耗 < 0.3 dB

Transition

插入损耗 < 0.2 dB

Polarization beam splitter

PER > 30 dB

Metal heater

Pπ < 20 mW

PIN phase shifter

低功耗相移

Modulator

Bandwidth > 20 GHz

Ge PD

Bandwidth > 20 GHz

PN phase shifter

CUMEC 可提供基于SOI的全套硅光流片服务,涵盖器件与版图设计、流片、测试及封装等,用户可根据需求选择相应的服务。

 

CUMEC硅光工艺基于200mm CMOS工艺,采用180nm工艺节点,使用220nm SOI衬底制备全套硅光器件,包括:

 

  - 光波导

  - 耦合光栅

  - MMI/AWG/Ring…

  - 热光移相器

  - 调制器

  - Ge PD

  - …

 

 

 

PDK获取

1. 请下载CUMEC CSiP180Al NDA文件,并完成信息填写和签署。

2. 请将扫描件发送至service@cumec.cn

工作人员将在3个工作日内完成NDA文件的审核和反馈,并发送PDK到注册邮箱。

 

 

CSiP180A

 - 180nm硅光成套工艺